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什么是CVD?

2017-06-14 作者: admin

  CVD技术是化学气相沉积Chemical Vapor Deposition的缩写。

  化学气相沉积乃是通过化学反应的方式,利用加热、等离子激励或光辐射等各种能源,在反应器内使气态或蒸汽状态的化学物质在气相或气固界面上经化学反应形成固态沉积物的技术。?简单来说就是:两种或两种以上的气态原材料导入到一个反应室内,然后他们相互之间发生化学反应,形成一种新的材料,沉积到基片表面上。?从气相中析出的固体的形态主要有下列几种:在固体表面上生成薄膜、晶须和晶粒,在气体中生成粒子。

CVD

  CVD技术是原料气或蒸汽通过气相反应沉积出固态物质,因此把CVD技术用于无机合成和材料制备时具有以下特点:

  (1)沉积反应如在气固界面上发生则沉积物将按照原有固态基底(又称衬底)的形状包覆一层薄膜。

  (2)涂层的化学成分可以随气相组成的改变而改变从而获得梯度沉积物或得到混合镀层。

  (3)采用某种基底材料,沉积物达到一定厚度以后又容易与基底分离,这样就可以得到各种特定形状的游离沉积物器具。

  (4)在CVD技术中也可以沉积生成晶体或细粉状物质,或者使沉积反应发生在气相中而不是在基底表面上,这样得到的无机合成物质可以是很细的粉末,甚至是纳米尺度的微粒称为纳米超细粉末。

  (5)CVD工艺是在较低压力和温度下进行的,不仅用来增密炭基材料,还可增强材料断裂强度和抗震性能是在较低压力和温度下进行的。

  CVD技术根据反应类型或者压力可分为低压CVD(LPCVD)、常压CVD(APCVD)、亚常压CVD(SACVD)、超高真空CVD(UHCVD)、等离子体增强CVD(PECVD)、高密度等离子体CVD(HDPCVD)、快热CVD(RTCVD)、金属有机物CVD(MOCVD)

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