1、钻石培育技术已经越来越熟悉的进入人们的视野，MPCVD设备的研发也是提升到了新阶段，那么MPCVD设备是什么呢？

MPCVD中文名称叫微波等离子体化学气相沉积，MPCVD设备作为优异的钻石培育设备，其工作原理为通过微波源产生微波，在微波场的作用下，反应气体被激发为等离子体状态。等离子体是部分电子被剥夺后的原子及原子团被电离后产生的正负离子组成的离子化气体状物质。等离子体呈球状形成于金刚石衬底上，利用等离子体的高温让衬底可以加热到一定的温度。用5KW 微波功率的MPCVD设备，可以以微米级每小时的速率沉积工具级金刚石膜、热沉级金刚石膜、光学级金刚石膜等。

MPCVD设备能沉积高纯度的金刚石膜，其沉积速率也可以通过加大微波功率来提高。装置设计人员将微波频率从2.45GHz降低到915MHz。如果使用915MHz频率的微波MPCVD设备装置，就可以使微波功率提高很多，而微波功率的加大则能大幅度地提高金刚石膜的沉积速率，从而降低生产成本，提高生产效率。一般2.45GHz频率的MPCVD设备，它的微波功率一般不超过8KW，微波频率的降低就可以使驻波腔截面积加大，使得金刚石膜的沉积面积加大，而沉积金刚石膜的直径也从1.5KW微波功率的50mm金刚石膜上升到75KW微波功率的250mm金刚石膜。

2、 MPCVD设备就在金刚石的领域里发挥着它的作用，那么是什么优点让MPCVD设备成为优先考虑对象呢？

金刚石也被誉为半导体，这是因为它有着宽带隙和高击穿电场以及高载流子迁移率和高热导率的特点。但是，在企业的使用过程中，大量需要的是大尺寸和高品质单晶金刚石，成为了制约其应用的主要瓶颈。所以，在不断的尝试与努力中，MPCVD设备由于它的微波能量没有污染，气体原料相对纯净，并且没有催化剂和杂质的掺入等一些压倒性的优势，成为众多制备方法中很有发展前景的技术之一。MPCVD设备主要是无极放电，所以等离子体纯净，同时它的微波放电区集中而不扩展，所以就能激活产生各种原子基团如原子氢等，产生的离子的大动能低，所以不会蚀刻已生成的金刚石，对金刚石起到保护作用。

由于MPCVD设备的微波功率调节连续平缓，使得沉积温度可以连续稳定变化，这就让设备克服了直流电弧法中因电弧的点火及熄灭，而且对衬底和金刚石膜的巨大热冲击造成在DC plasma-jet CVD中金刚石膜很容易从基片上脱落的缺点，使得金刚石膜不容易脱落。而与热丝法HFCVD相比，MPCVD设备避免了热丝法中因为热金属丝蒸发而对金刚石膜的产生污染，以及热金属丝对强腐蚀性气体，比如一些高浓度氧和卤素气体等十分敏感的缺点，使得在工艺中能够使用的反应气体的种类比HFCVD中多许多，就会造成一些不必要的损失。与氧-乙炔燃烧火焰法相比较，通过对MPCVD沉积反应室结构的结构调整，可以在沉积腔中产生大面积而又稳定的等离子体球，有利于大面积、均匀地沉积金刚石膜，因而MPCVD设备的微波等离子体法制备金刚石膜的优越性在所有设备中显得十分的突出。

3、 MPCVD设备都可以应用在哪些领域和行业呢？

我们所熟知的金刚石的生长沉积离不开MPCVD设备，这是因为要想获得高质量金刚石薄膜，就要使用MPCVD设备。MPCVD设备的谐振腔内没有内部电极，这样就可以避免电极放电所产生的污染。并且它的运行气压范围比较宽，所产生等离子体具有密度高、区域大、稳定度高并且不与真空器壁相接触的优点，如此就可以避免器壁对薄膜的污染。在以前的工业中，人们通常习惯性的用已知的磁控管功率源来应用在MPCVD设备系统中，当然那是在没有发现有更好的替换的时候，但是，现在不同往日，随着技术的快速发展，用固态射频微波功率源替代磁控管方案在MPCVD设备系统中的应用已经成为了一个新趋势。所以，MPCVD方法以它独特的优势成为了目前相对有发展前景的高质量金刚石薄膜沉积方法之一。并且它也非常适合光学、电子以及工具级金刚石膜或者单晶和石墨烯等一些物质的沉积，同时在材质表面处理和低温氧化物的生长等方面也有着很大的作用。

MPCVD设备也可以直接在目标衬底材料上生长石墨烯，如240～700 ℃之间，MPCVD设备就可以在不同衬底材料上制备高质量的石墨烯，从而使得石墨烯在微电子领域的应用范围得到了进一步的扩展。