金刚石沉积设备的优越性

金刚石晶体又称钻石，由于其拥有宽带隙、高击穿电场、高载流子迁移率及高热导率的特点，因而成为继碳化硅、氮化镓之后具有代表性的新一代半导体材料，还广泛用于取代天然钻石的首饰领域。

市面上的金刚石沉积方法主要有直流电弧法、热丝法HFCVD及氧-乙炔燃烧火焰法。优普莱的金刚石设备主要采用MPCVD（微波等离子体化学气相沉积）方法，与直流电弧法相比，因电弧的点火及熄灭，而且对衬底和金刚石膜的巨大热冲击造成在DC plasma-jet CVD中金刚石膜很容易从基片上脱落的缺点，使得金刚石膜不容易脱落；而与热丝法HFCVD相比，MPCVD设备就避免了热丝法中因为热金属丝蒸发而对金刚石膜的产生污染，以及热金属丝对强腐蚀性气体，比如一些高浓度氧和卤素气体等十分敏感的缺点，使得在工艺中能够使用的反应气体的种类比HFCVD中多许多，就会造成一些不必要的损失。而当MPCVD设备与氧-乙炔燃烧火焰法相比较，通过对MPCVD沉积反应室结构的结构调整，可以在沉积腔中产生大面积而又稳定的等离子体球，如此操做就会有利于企业大面积、均匀地沉积金刚石膜，这就比火焰法更加的适合。优普莱MPCVD设备主要是无极放电，同时它的微波放电区集中而不扩展，MPCVD设备中金刚石生长所需要的能量来自于微波，从而没有污染，反应气体相对来说比较纯净，并且没有催化剂和杂质的掺入，所以就能激活产生各种原子基团如原子氢等。由于MPCVD设备产生的离子的大动能低，所以不会蚀刻已生成的金刚石，对金刚石起到保护作用。由于成为众多制备方法中很有发展前景的技术之一。