第 一代半导体的主流材料是硅（Si），第 二代半导体以砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）为主，氮化镓（GaN）与碳化硅（SiC）这两种宽能隙（wide　band　gap）半导体则被称第三代半导体，相对于第 一代硅、第 二代化合物半导体砷化镓来说，第三代半导体“带隙”更宽，带隙越宽的材料越能耐高电压、高电流。而钻石则成为第四代半导体的材料。

随着硅基电子器件接近其理论极限值，宽禁带半导体材料的使用可以使新一代电力电子器件变得更小、更快、更可靠且更有效。这种材料能够降低电力电子元件的质量、体积和生命周期成本，同时也能够让设备在更高的温度、电压和频率下工作，以使用更少的能量实现更高的性能。

金刚石是一种好的宽禁带半导体材料，具有优异的机械性能、热学性能、透光性、半导体性能和化学惰性，这使得人工合成金刚石所制成的半导体器件能够在高温高压甚至更为特殊的环境下工作，满足工业上所需要的各种要求。因此，在高新科技尖 端领域中，特别是电子技术中，人工合成金刚石受到广泛关注，并被公认为是具有前景的新型半导体材料之一。

由于其优越的性能，人工合成金刚石在半导体材料方面具有广泛且不可替代的应用优势和前景，特别是在高频高压条件下。随着大尺寸、高质量、大范围和高灵活度的人工合成金刚石沉积技术的逐步开发，预计将推动大规模集成电路和高速集成电路的发展进入一个新时代。同时，人工合成金刚石制备技术的发展也推动了金刚石光学和光电子学的快速进步，并实现了光电子器件的尺寸大幅降低。